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Die PMR ist besonders gut geeignet, um neue Innnovationen und aktuelle Trends in der Welt der Sicheren Kommunikation kennenzulernen. Besuchen Sie unseren digitalen Messestand und entdecken Sie unsere ganzheitlichen Lösungen für Anwendungen im Innen-und Außenbereich sowie im Fahrzeugbereich.
24.11.2020 - 26.11.2020
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RFEX Connector

RFEX Connector

Der erste Steckverbinder für HF-Energie RFEX steht für die Integration in RF-Energy-Module zur Verfügung.

Eigenschaften

HF-Belastbarkeit und Performance
RFEX ist für die Integration in RF-Energy-Module erhältlich und ist so ausgelegt, dass die erforderlichen hohen Leistungen bei geringstmöglichen Verlusten bewältigt werden können. Zusätzliche Wärmeentwicklung in den Übergängen kann vermieden werden, und eine sehr hohe Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer der Verstärker wird unterstützt.

Hervorragende Abschirmung
Durch die Integration der koaxialen Struktur in den Gehäusekörper werden Lücken durch separat montierte Steckverbinder oder Durchführungen vermieden. Auf diese Weise werden Quellen für HF-Lecke, die EMV-Probleme verursachen, auf ein Minimum reduziert.

Erreichen der Kostenziele der Branche
Der RFEX ist direkt in das Verstärkergehäuse integriert, wodurch die Anzahl der Einzelteile deutlich reduziert wird. Darüber hinaus wird der Montageprozess der Verstärkermodule vereinfacht und rationalisiert, um die Betriebskosten so gering wie möglich zu halten.

Direkte Integration der Antenne
Die Antenne ist direkt auf der Oberseite des RFEX implementiert. Ab sofort werden Antennen zum Anschluss von Rechteckhohlleitern, dielektrisch gefüllten Hohlleitern oder Kochstellen oder eine Standardschnittstelle (z.B. N-Typ) für Anschlusskabel unterstützt.

Platzbedarf auf ein Minimum reduziert
Der Platinen-Footprint wird auf ein Minimum reduziert. Auf diese Weise werden kompakte Bauformen von RF-Energie-Modulen unterstützt und die Kosten zusätzlich reduziert. Höhere Integrationsdichten in Anwendungen können realisiert werden. 

Abweichend von 50 Ω Impedanz
RFEX unterstützt Impedanzen unter 50 Ω. Auf diese Weise kann die Transistorausgangsanpassung vereinfacht (geringere Kosten), die Bandbreite erhöht und die Verluste reduziert werden.  
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